全國咨詢熱線
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背景：熱退火是用于結晶硒化銻(Sb2Se3)薄膜的最常見后沉積技術。然而，由于處理速度慢且能源成本高，它與未來光伏電池中Sb2Se3的升級和商業(yè)化不相容。在此，首次采用一種使用毫秒···
閱讀量：1012024
背景：本研究開發(fā)了一種用于高性能全印刷無機薄膜晶體管(TFT)的印刷多層銦鎵鋅氧化物(IGZO)和銀(Ag)電極結構的強脈沖光(IPL)退火工藝。通過使用IGZO前體和銀墨水的溶液···
閱讀量：1392024
背景：我們介紹了光子燒結作為一種通用且經濟高效的界面處理方法，用于溶液處理的In-Ga-Zn-O薄膜晶體管，重點研究其提高操作穩(wěn)定性的潛力。我們制造了溶液處理的基于IGZO的薄膜晶···
閱讀量：1142024
背景：新興的柔性光電器件需要多材料處理能力，以充分利用對溫度敏感的基板和材料。本報告展示了光子燒結如何實現(xiàn)具有非常不同特性的材料的加工。例如，電荷載流子傳輸/阻擋金屬氧化物和透明導···
閱讀量：1162024
背景：In2O3是最重要的半導體金屬氧化物之一，主要是因為它具有寬帶隙、高電子遷移率和加工通用性。為此，可以使用可擴展且廉價的基于溶液的沉積方法來制備高質量的In2O3薄膜，從而使···
閱讀量：6512023
背景：金屬氧化物薄膜晶體管(TFT)為新興的透明和柔性微電子應用提供了絕佳的機會。不幸的是，它們的性能受到與寄生效應相關的限制的阻礙，例如寄生電極重疊電容和高接觸電阻，這會嚴重限制···
閱讀量：2482024
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